[发明专利]电容耦合等离子体处理装置在审

专利信息
申请号: 202310275919.0 申请日: 2023-03-16
公开(公告)号: CN116053109A 公开(公告)日: 2023-05-02
发明(设计)人: 常庆环;游加加 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/67
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 梁瑜;臧建明
地址: 230601 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 本公开提供一种电容耦合等离子体处理装置,包括壳体、第一电极、第二电极、第一射频偏压源和第二射频偏压源,壳体具有容置腔,第一电极和第二电极均位于容置腔中且至少部分相对设置,待处理件位于第一电极朝向第二电极的一侧;第一射频偏压源与第一电极电连接,第二射频偏压源与第二电极电连接,第一射频偏压源和第二射频偏压源的频率相等,且间隔半个周期。第二射频偏压源可以阻碍电子朝向第二电极运动,阻碍第二电极附近的电子鞘的形成,以降低电子鞘对阳离子的吸引,提高阳离子朝向第一电极的运动速度。因此,本公开提供的电容耦合等离子体处理装置,能够提高等离子体中的阳离子对待处理件的轰击能力,从而可以提高对待处理件的刻蚀效果。
搜索关键词: 电容 耦合 等离子体 处理 装置
【主权项】:
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