[发明专利]电容耦合等离子体处理装置

权利要求书

1.一种电容耦合等离子体处理装置，其特征在于，包括：壳体、第一电极、第二电极、第一射频偏压源和第二射频偏压源，所述壳体具有容置腔，所述第一电极和所述第二电极均位于所述容置腔中且至少部分相对设置，待处理件位于所述第一电极朝向所述第二电极的一侧；

所述第一射频偏压源与所述第一电极电连接，所述第二射频偏压源与所述第二电极电连接，所述第一射频偏压源和所述第二射频偏压源的频率相等、且间隔半个周期。

2.根据权利要求1所述的电容耦合等离子体处理装置，其特征在于，包括功率转换器和射频偏压源，所述功率转换器的输入端与所述射频偏压源连接，所述功率转换器的第一输出端与所述第一电极电连接，并形成所述第一射频偏压源，所述功率转换器的第二输出端与所述第二电极电连接，并形成所述第二射频偏压源。

3.根据权利要求1或2所述的电容耦合等离子体处理装置，其特征在于，还包括射频激发源，所述射频激发源与所述第一电极电连接，所述射频激发源的频率大于所述第一射频偏压源的频率。

4.根据权利要求3所述的电容耦合等离子体处理装置，其特征在于，所述射频激发源为脉冲电源，所述脉冲电源交替输出至少两个脉冲信号，至少两个所述脉冲信号包括第一脉冲信号和第二脉冲信号，所述第一脉冲信号的占空比小于所述第二脉冲信号的占空比。

5.根据权利要求4所述的电容耦合等离子体处理装置，其特征在于，所述第一脉冲信号的功率小于所述第二脉冲信号的功率。

6.根据权利要求4所述的电容耦合等离子体处理装置，其特征在于，所述第一脉冲信号的占空比小于或等于1/2，和/或，所述第二脉冲信号的占空比大于或等于3/4。

7.根据权利要求4所述的电容耦合等离子体处理装置，其特征在于，所述第一脉冲信号和所述第二脉冲信号的频率不同。

8.根据权利要求3所述的电容耦合等离子体处理装置，其特征在于，还包括电容器，所述第一电极与所述射频激发源之间、所述第一电极与所述第一射频偏压源之间以及所述第二电极与所述第二射频偏压源之间的至少一者设置有所述电容器。

9.根据权利要求3所述的电容耦合等离子体处理装置，其特征在于，还包括阻抗匹配器，所述第一电极与所述射频激发源之间、所述第一电极与所述第一射频偏压源之间以及所述第二电极与所述第二射频偏压源之间的至少一者设置有所述阻抗匹配器。

10.根据权利要求1或2所述的电容耦合等离子体处理装置，其特征在于，还包括：

承载件，所述承载件位于所述容置腔中，且所述承载件位于所述第一电极的朝向所述第二电极的一侧，所述承载件朝向所述第二电极的一侧具有承载面，所述待处理件位于所述承载面上；

聚焦环，所述聚焦环环设于所述承载面的外周；

所述第一电极与所述第二电极的延伸方向相同；或，所述第二电极包括相连的第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部与所述第一电极相对设置且延伸方向相同，所述第二延伸部位于所述第一延伸部的边缘，且朝向所述第一电极的方向延伸；

所述电容耦合等离子体处理装置包括电容耦合等离子体刻蚀装置。