[发明专利]晶舟组件和半导体工艺设备在审
申请号: | 202310272846.X | 申请日: | 2023-03-20 |
公开(公告)号: | CN116240527A | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
发明(设计)人: | 周振溪;闫志顺;侯鹏飞;赵福平;杨来宝;郑建宇;李补忠 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/509;H01L31/18 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种晶舟组件,包括多个晶舟,至少一个晶舟的出舟侧底部具有前导电舟脚,至少一个晶舟的入舟侧底部具有后导电舟脚,前导电舟脚的顶部具有接触凸起,后导电舟脚的底部具有接触凹槽,相邻两个晶舟中位于出舟侧的晶舟进入工艺腔室中时,其后导电舟脚的接触凹槽能够与位于入舟侧的晶舟的前导电舟脚的接触凸起接触,以将相邻两个晶舟电连接。本发明通过后导电舟脚与前导电舟脚搭接的方式将相邻晶舟电连接,无需在工艺腔室的开口处设置电极,保证了半导体工艺效果,且前导电舟脚及后导电舟脚可随晶舟取出并单独进行清洁维护,在对晶舟进行维护时无需停机,提高了半导体工艺设备的维护效率,保证了机台产能。本发明还提供一种半导体工艺设备。 | ||
搜索关键词: | 组件 半导体 工艺设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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