[发明专利]晶舟组件和半导体工艺设备

说明书

本发明提供一种晶舟组件，包括多个晶舟，至少一个晶舟的出舟侧底部具有前导电舟脚，至少一个晶舟的入舟侧底部具有后导电舟脚，前导电舟脚的顶部具有接触凸起，后导电舟脚的底部具有接触凹槽，相邻两个晶舟中位于出舟侧的晶舟进入工艺腔室中时，其后导电舟脚的接触凹槽能够与位于入舟侧的晶舟的前导电舟脚的接触凸起接触，以将相邻两个晶舟电连接。本发明通过后导电舟脚与前导电舟脚搭接的方式将相邻晶舟电连接，无需在工艺腔室的开口处设置电极，保证了半导体工艺效果，且前导电舟脚及后导电舟脚可随晶舟取出并单独进行清洁维护，在对晶舟进行维护时无需停机，提高了半导体工艺设备的维护效率，保证了机台产能。本发明还提供一种半导体工艺设备。

技术领域

本发明涉及半导体工艺设备领域，具体地，涉及一种晶舟组件和一种包括该晶舟组件的半导体工艺设备。

背景技术

在太阳能硅片加工工艺中，等离子体增强化学气相沉积(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，PECVD)镀膜是一道重要工序，其主要目的是提高太阳能电池片的光转换率，这道工序运用等离子体增强化学气相沉积技术，通过石墨舟(晶舟)、射频以及适量的反应气体在硅片表面沉淀一层深蓝色氮化硅膜，即减反射膜。目前光伏市场主流镀膜工艺均采用管式单舟等离子体增强化学气相沉积设备，但随着技术的发展及产能要求的提高，降本增效显著，市场上等离子体增强化学气相沉积设备的技术方向越来越趋向于大管径大产能，其中双舟及多舟是增加产能的主要发展方向。

无论单舟还是双舟结构在实际应用中，用于向石墨舟馈入射频信号的电极均需长期处于高温及镀膜工艺环境中，一旦其与石墨舟的接触存在间隙，就会使电极表面镀膜附着氮化硅膜，电极镀膜后会产生与石墨舟接触不良的问题，导致短路、打火等问题出现，需要对电极定期进行维护清理后恢复正常使用。然而，在现有的管式等离子体增强化学气相沉积设备中，电极通常都是从炉体尾部或炉口延伸进炉体内部，电极结构复杂导致维护步骤繁琐、用时较长，且多需要在停机状态下进行维护，极大影响了等离子体增强化学气相沉积设备的维护效率及机台产能。

因此，如何提供一种维护效率更高的半导体工艺设备，成为本领域亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明旨在提供一种晶舟组件和一种包括该晶舟组件的半导体工艺设备，该晶舟组件能够提高半导体工艺设备的维护效率。

为实现上述目的，作为本发明的一个方面，提供一种晶舟组件，包括多个晶舟，多个所述晶舟用于沿工艺腔室的轴线方向依次进入工艺腔室中，以及沿所述工艺腔室的轴线方向依次由所述工艺腔室中取出，至少一个所述晶舟的出舟侧底部具有前导电舟脚，至少一个所述晶舟的入舟侧底部具有后导电舟脚，所述前导电舟脚的顶部具有接触凸起，所述后导电舟脚的底部具有接触凹槽，相邻两个所述晶舟中位于出舟侧的所述晶舟进入所述工艺腔室中时，其所述后导电舟脚的接触凹槽能够与位于入舟侧的所述晶舟的前导电舟脚的接触凸起接触，以将所述相邻两个所述晶舟电连接；

多个所述晶舟中位于入舟侧的所述晶舟用于与所述工艺腔室中的供电组件电连接，以接收所述供电组件提供的射频信号。

可选地，所述前导电舟脚的底部和所述后导电舟脚的底部分别具有用于与所述工艺腔室中支撑组件接触的第一支撑面和第二支撑面。

可选地，所述支撑组件包括一对沿所述工艺腔室的轴线方向延伸且水平间隔设置的支撑杆；所述前导电舟脚在对应的所述晶舟上成对设置，所述后导电舟脚在对应的所述晶舟上成对设置，且每对所述前导电舟脚的两个所述第一支撑面用于与两个所述支撑杆一一对应接触，每对所述后导电舟脚的所述第二支撑面用于与两个所述支撑杆一一对应接触；

所述前导电舟脚的底部还具有相对于所述第一支撑面向下凸出的前限位块，且每对所述前导电舟脚的两个所述前限位块均位于两个所述第一支撑面之间，以在对应的所述晶舟放置在所述支撑杆上时，通过两个所述前限位块对所述晶舟沿垂直于所述工艺腔室的轴线方向的位置进行限位；