[发明专利]一种新型画素结构、显示装置及画素结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种新型画素结构、显示装置及画素结构的制作方法，涉及显示技术领域。所述新型画素结构，从下到上依次包括：金属走线层SL、缓冲层Buffer、第一金属层GE、第一绝缘层GI、金属氧化物层MOx、第二金属层SD、第二绝缘层PV以及有机平坦层OC；所述第二金属层SD包括源极S和漏极D，所述源极S和漏极D之间形成沟道，所述第一金属层GE的尺寸大于等于所述沟道的尺寸，所述源极S通过过孔与所述金属走线层SL连接；所述金属走线层SL用于遮挡来自背光源的光，并与所述源极S相连，降低source讯号走线阻抗。本发明实施例降低source讯号走线阻抗，同时可避免TFT器件沟道受背光光照影响，且栅极尺寸减小，使整体TFT器件尺寸缩小，有利于高PPI画素设计。