[发明专利]一种新型画素结构、显示装置及画素结构的制作方法在审
| 申请号： | 202310272179.5 | 申请日： | 2023-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN116344551A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 郑聪秀;刘汉龙 | 申请（专利权）人： | 华映科技（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;G02F1/1368;G02F1/1362;H01L21/77;H01L29/786;G06F3/041 |
| 代理公司： | 福州市京华专利代理事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 林云娇 |
| 地址： | 350000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 结构 显示装置 制作方法 | ||
1.一种新型画素结构，其特征在于，从下到上依次包括：金属走线层SL、缓冲层Buffer、第一金属层GE、第一绝缘层GI、金属氧化物层MOx、第二金属层SD、第二绝缘层PV以及有机平坦层OC；
所述第二金属层SD包括源极S和漏极D，所述源极S和漏极D之间形成沟道，所述第一金属层GE的尺寸大于等于所述沟道的尺寸，所述源极S通过过孔与所述金属走线层SL连接；
所述金属走线层SL用于遮挡来自背光源的光，并与所述源极S相连，降低source讯号走线阻抗。
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于：所述第一金属层GE的尺寸等于所述沟道的尺寸，与源极S和漏极D无交叠区域。
3.根据权利要求1或2所述的结构，其特征在于：所述金属走线层SL包括讯号走线区和遮光区。
4.根据权利要求3所述的结构，其特征在于：所述金属走线层SL由金属钼或金属铝形成。
5.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的新型画素结构。
6.一种新型画素结构的制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1-4所示的新型画素结构，包括：
步骤10、在基板上形成金属走线层SL，所述金属走线层SL用于遮挡来自背光源的光；
步骤20、在所述金属走线层SL上依次形成缓冲层Buffer、第一金属层GE、第一绝缘层GI以及金属氧化物层MOx，其中，所述第一金属层GE的宽度大于等于沟道的宽度；
步骤30、在形成源极S的金属氧化物层MOx外侧区域形成一过孔贯穿至金属走线层SL上表面；
步骤40、形成第二金属层SD，源极S通过所述过孔与金属走线层SL连接；
步骤50、在步骤40的基础上依次形成第二绝缘层PV以及有机平坦层OC。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述第一金属层GE的尺寸等于所述沟道的尺寸，与源极S和漏极D无交叠区域。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于：所述金属走线层SL包括讯号走线区和遮光区。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述金属走线层SL由金属钼或金属铝形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
