[发明专利]一种重掺杂P型碳化硅晶片欧姆接触电极制备方法在审
| 申请号： | 202310256466.7 | 申请日： | 2023-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN116247082A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 张泽盛;龚春生 | 申请（专利权）人： | 北京晶格领域半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/45;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京格允知识产权代理有限公司 11609 | 代理人： | 张沫 |
| 地址： | 101300 北京市顺*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅生产技术领域，特别涉及一种重掺杂P型碳化硅晶片欧姆接触电极制备方法。本发明实施例提供一种重掺杂P型碳化硅晶片欧姆接触电极制备方法，包括：对重掺杂P型碳化硅晶片进行第一溅射处理以在所述P型碳化硅晶片上制得第一铝金属层；对所述P型碳化硅晶片进行第二溅射处理以在所述第一铝金属层上制得第二铝金属层；进行退火处理得到重掺杂P型碳化硅晶片欧姆接触电极。本发明实施例提供了一种重掺杂P型碳化硅晶片欧姆接触电极制备方法，能够提供一种成本更低的重掺杂P型碳化硅晶片欧姆接触电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 碳化硅 晶片 欧姆 接触 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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