[发明专利]一种重掺杂P型碳化硅晶片欧姆接触电极制备方法

说明书

本发明涉及碳化硅生产技术领域，特别涉及一种重掺杂P型碳化硅晶片欧姆接触电极制备方法。本发明实施例提供一种重掺杂P型碳化硅晶片欧姆接触电极制备方法，包括：对重掺杂P型碳化硅晶片进行第一溅射处理以在所述P型碳化硅晶片上制得第一铝金属层；对所述P型碳化硅晶片进行第二溅射处理以在所述第一铝金属层上制得第二铝金属层；进行退火处理得到重掺杂P型碳化硅晶片欧姆接触电极。本发明实施例提供了一种重掺杂P型碳化硅晶片欧姆接触电极制备方法，能够提供一种成本更低的重掺杂P型碳化硅晶片欧姆接触电极。

技术领域

本发明涉及碳化硅生产技术领域，特别涉及一种重掺杂P型碳化硅晶片欧姆接触电极制备方法。

背景技术

碳化硅具有禁带宽度大、临界击穿场强高、饱和电子速度高、热导率高、化学性能稳定等优异的物理性能，碳化硅材料被认为是制备高温、高频、大功率半导体器件的理想材料。想要实现碳化硅器件的大规模制备和应用，首先需要解决的是其形成良好欧姆接触的问题。按照碳化硅导电类型，可分为N型和P型碳化硅两种。

现有技术中，对N型碳化硅的晶体生长研究相对成熟，并形成了一定的产业化。在N型碳化硅欧姆接触上，也取得了较大的发展，如Ni基金属制备的N型碳化硅欧姆接触，其比接触电阻值低于10^-5Ωcm²量级，并在器件制备上已得到广泛的应用。相对于成熟的N型碳化硅欧姆接触，获得高质量的P型碳化硅欧姆接触仍旧是个挑战。目前，P型碳化硅欧姆接触电极主要采用铝钛金属体系。但是，钛的成本高，不适用于工业化批量生产。

因此，针对以上不足，需要提供一种重掺杂P型碳化硅晶片欧姆接触电极制备方法。

发明内容

本发明实施例提供了一种重掺杂P型碳化硅晶片欧姆接触电极制备方法，能够提供一种成本更低的重掺杂P型碳化硅晶片欧姆接触电极。

第一方面，本发明实施例提供一种重掺杂P型碳化硅晶片欧姆接触电极制备方法，包括：

对重掺杂P型碳化硅晶片进行第一溅射处理以在所述P型碳化硅晶片上制得第一铝金属层；

对所述P型碳化硅晶片进行第二溅射处理以在所述第一铝金属层上制得第二铝金属层；

进行退火处理得到重掺杂P型碳化硅晶片欧姆接触电极。

在一种可能的设计中，所述第一溅射处理的功率为(0.28～0.34)KV×(0.24～0.28)A，时间为25～35min。

在一种可能的设计中，所述第二溅射处理的功率为0.72KV×0.02A，时间为8～12min。

在一种可能的设计中，所述退火处理的温度为750～850℃，时间为1～2min。

在一种可能的设计中，所述P型碳化硅晶片的掺杂浓度大于或等于1.18×10²⁰cm^-3。

在一种可能的设计中，所述第一溅射处理和所述第二溅射处理均为对金属铝施加高温使其蒸发溅射至所述P型碳化硅晶片；

在进行所述第一溅射处理之前，还包括：

对所述金属铝进行预溅射处理以去除所述金属铝表面的氧化杂质。

在一种可能的设计中，所述预溅射处理的时间为13～17min。

在一种可能的设计中，所述P型碳化硅晶片覆盖有掩模版，所述掩模版通过光刻技术刻蚀出与电极图形匹配的镂空结构。

在一种可能的设计中，所述第一溅射处理和所述第二溅射处理在真空环境中进行。

第二方面，本发明实施例还提供了一种重掺杂P型碳化硅晶片欧姆接触电极，根据第一方面中任一所述的制备方法制备得到。