[发明专利]静电放电保护电路及半导体装置

摘要

本发明提供一种即便对于上升时间短的静电放电也可保护内部电路的静电放电保护电路及半导体装置。一种静电放电保护电路，具有截止晶体管，所述截止晶体管包括：P型半导体基板；N型阱区域，形成在半导体基板的上部；N型漏极区域，形成在阱区域的上部，杂质浓度比阱区域高；N型源极区域，在阱区域的上部中与漏极区域分离形成，杂质浓度比阱区域高；栅极绝缘膜，形成在漏极区域与源极区域之间；栅极电极，形成在栅极绝缘膜的表面；以及P型高浓度区域，形成为在阱区域的上部中至少与沟道区域的角部附近的漏极区域相接，杂质浓度比阱区域高。