[发明专利]用于隔离变换器的MOSFET分级驱动控制电路及控制方法有效
| 申请号： | 202310237756.7 | 申请日： | 2023-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN115940661B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 孙世凯;罗寅;谭在超;丁国华 | 申请（专利权）人： | 苏州锴威特半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/335 | 分类号： | H02M3/335;H02M1/08;H02M1/00 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 葛莉华 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开用于隔离变换器的MOSFET分级驱动控制电路及方法，涉及电力电子领域，原边和副边电路接入多级MOSFET，通过原边采样检测电阻周期采样，经由斜坡补偿电路、比较控制电路进行电压比较和基准电压的大小，通过RS触发器输出使能信号，数字隔离器的输入输出分别连接原边和副边驱动电路，原边和副边驱动电路分别连接原副边电路的MOSFET，基于使能信号控制接入电路的MOSFET数量及工作状态。实现了原边检测MOSFET分级控制，从而根据电路导通和驱动总损耗确定不同工作频率下轻载重载的状态切换点，以降低隔离变换器电路导通损耗，提高工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 隔离 变换器 mosfet 分级 驱动 控制电路 控制 方法 | ||
【主权项】：
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