[发明专利]用于隔离变换器的MOSFET分级驱动控制电路及控制方法

权利要求书

1.一种用于隔离变换器的MOSFET分级驱动控制电路，其特征在于，包括原边电路、副边电路和分级控制电路；所述原边电路包括至少两组相互并联的同步整流MOSFET场效应管，以及采样检测电阻Rsense；所述副边电路包含至少一组并联的同步整流MOSFET，以及接入负载；所述分级控制电路包括斜坡补偿电路、比较控制电路、RS触发器、数字隔离器、原边驱动电路和副边驱动电路；

采样检测电阻的输入端为采样检测点，连接到所述斜坡补偿电路中，用于检测原边采样电压和电流；所述比较控制电路连接所述斜坡补偿电路的输出，用于将补偿后的采样电压进行比较生成驱动所述RS触发器的使能信号；数字隔离器连接所述RS触发器，用于将原边使能信号传输到副边，其输入和输出端分别连接到原边和副边驱动电路；原边和副边驱动电路分别连接原边和副边电路的同步整流MOSFET，用于控制电路进入单级MOSFET驱动和多级MOSFET驱动工作状态。

2.根据权利要求1所述的用于隔离变换器的MOSFET分级驱动控制电路，其特征在于，所述原边电路包括MOSFET QH和MOSFET QH’、 MOSFET QL和MOSFET QL’；其中，MOSFET QH和MOSFET QH’的栅极与漏极相互并联；MOSFET QL和MOSFET QL’的栅极与漏极相互并联；MOSFET QL、MOSFET QL’、和所述采样检测电阻组成所述原边电路的接地支路；

所述副边电路包括MOSFET SR和MOSFET SR’，且对应栅极和漏极相互并联。

3.根据权利要求2所述的用于隔离变换器的MOSFET分级驱动控制电路，其特征在于，所述原边驱动电路包括两个相互连接的第一半桥驱动和第二半桥驱动；所述第一半桥驱动连接的两个输出端分别连接MOSFET QH’和MOSFET QL’，所述第二半桥驱动连接的两个输出端分别连接MOSFET QH和MOSFET QL；

所述副边驱动电路包括两个相互连接的第一副边驱动和第二副边驱动；所述第一副边驱动的输出端连接MOSFET SR，所述第二副边驱动的输出端连接MOSFET SR’。

4.根据权利要求3所述的用于隔离变换器的MOSFET分级驱动控制电路，其特征在于，所述第一半桥驱动的第一输入端与所述RS触发器的输出端连接，第二输入端与所述第二半桥驱动的第二输入端相互连接；所述第二半桥驱动的第一输入端接入原边驱动电压Vcc；

所述第一副边驱动的第一输入端接入副边驱动电压VDD，第二输入端与所述第二副边驱动的第二输入端连接；所述第二副边驱动的第一输入端连接所述数字隔离器的输出端。

5.根据权利要求1所述的用于隔离变换器的MOSFET分级驱动控制电路，其特征在于，所述比较控制电路包括比较器模块和状态重置模块；比较器模块正负输入端接入补偿电压和基准电压Vref，输出端连接所述RS触发器的R端，S端为脉冲输入，用于周期性锁存使能信号。

6.根据权利要求5所述的用于隔离变换器的MOSFET分级驱动控制电路，其特征在于，所述分级控制电路还包括位于所述斜坡补偿电路和所述比较控制电路之间的滤波电路，包括二极管和滤波电容；

所述状态重置模块接入到比较器模块正负输入端之间，包括MOSFET，用于根据周期信号重置比较器状态。

7.根据权利要求3所述的用于隔离变换器的MOSFET分级驱动控制电路，其特征在于，轻载状态下为单级MOSFET工作，原边MOSFE QH’和MOSFE QL’，以及副边MOSFE SR’处于断开状态，重载状态下处于多级MOSFET工作。