[发明专利]半导体器件、堆叠式复合沟槽结构的制作方法有效
| 申请号： | 202310205693.7 | 申请日： | 2023-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN116072601B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 于绍欣 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郑彤 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件、堆叠式复合沟槽结构的制作方法。上述堆叠式复合沟槽结构的制作方法将堆叠式复合沟槽结构按照多级沟槽结构逐级进行制作，在第一级沟槽结构制作时，先在基底上制作沟槽，在沟槽中填充形成半导体层，随后各级沟槽结构制作时，先在前一级的沟槽结构的基础上生外延层，再在外延层上制作露出前一级的半导体层的沟槽，并且，前后两级中沟槽的宽度不同，然后在沟槽中填充形成半导体层，如此逐级形成堆叠的宽度变化的半导体层。上述制作方法能够通过常规工艺的组合制作得到堆叠式复合沟槽结构，工艺流程简单，材料选择范围更广。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 堆叠 复合 沟槽 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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