[发明专利]半导体器件、堆叠式复合沟槽结构的制作方法有效
| 申请号： | 202310205693.7 | 申请日： | 2023-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN116072601B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 于绍欣 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郑彤 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 堆叠 复合 沟槽 结构 制作方法 | ||
1.一种半导体器件中堆叠式复合沟槽结构的制作方法，其特征在于，所述堆叠式复合沟槽结构包括多级沟槽结构，所述制作方法是逐级进行沟槽结构的制作；
第一级沟槽结构的制作步骤包括：
获取基底；
在所述基底上制作第一级的沟槽；
在第一级的沟槽中填充形成第一级的半导体层；
第n级沟槽结构的制作步骤包括：
在第n-1级沟槽结构的基础上生长第n级的外延层；
在第n级的外延层上制作第n级的沟槽，第n级的沟槽贯穿所述外延层至露出第n-1级的半导体层，第n级的沟槽的宽度不同于第n-1级的沟槽的宽度；
在第n级的沟槽中填充形成第n级的半导体层；
其中，n为大于等于2的整数；
各级沟槽结构的制作步骤还包括：在制作本级的沟槽之前，在所述基底或者本级的外延层上制作本级的第一热氧化层；
本级的沟槽贯穿本级的第一热氧化层至所述基底或者本级的外延层中；
各级沟槽结构的制作步骤还包括：在制作本级的沟槽之后，且在形成本级的半导体层之前，在本级的沟槽的内壁制作本级的第二热氧化层；
各级沟槽结构的制作步骤还包括：对本级的半导体层进行杂质离子注入。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，各级的第一热氧化层的厚度为30Å~500Å。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，各级沟槽结构的制作步骤还包括：
在形成本级的半导体层之后，清除本级的第一热氧化层。
4.如权利要求1~3中任一项所述的制作方法，其特征在于，各级的第二热氧化层的厚度为30Å~500Å。
5.如权利要求1~3中任一项所述的制作方法，其特征在于，各级的半导体层的材料独立地选择非掺杂多晶硅、杂质掺杂多晶硅中的至少一种。
6.如权利要求1~3中任一项所述的制作方法，其特征在于，第二热氧化层为线性热氧化层。
7.如权利要求1~3中任一项所述的制作方法，其特征在于，各级的外延层的厚度为0.5μm~10μm。
8.如权利要求1~3中任一项所述的制作方法，其特征在于，各级的半导体层以同一对称轴呈轴对称。
9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，奇数级的沟槽具有相同宽度，偶数级的沟槽具有相同宽度。
10.一种半导体器件，其特征在于，具有堆叠式复合沟槽结构，所述堆叠式复合沟槽结构是通过如权利要求1~9中任一项所述的制作方法制作得到。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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