[发明专利]在存储器插槽中支持多个存储器类型在审
| 申请号： | 202310193218.2 | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN116189728A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | W·韩;M·阿拉法;B·S·莫里斯;M·普拉卡什;J·K·皮克特;J·K·格鲁姆斯;B·奎尔巴赫;E·L·佩顿;王东 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C5/04 | 分类号： | G11C5/04;G06F13/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘瑜 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了与在同一存储器插槽上支持DDR(双倍数据速率)DIMM(双列直插式存储器模块)和NVM(非易失性存储器)DIMM两者有关的方法和装置。在一个实施例中，DIMM包括易失性存储器和非易失性存储器，并且数据是经由单个存储器插槽与易失性存储器和非易失性存储器传送的。还公开并要求保护其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 插槽 支持 类型 | ||
【主权项】：
暂无信息
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