[发明专利]在存储器插槽中支持多个存储器类型在审

专利信息
申请号: 202310193218.2 申请日: 2017-01-04
公开(公告)号: CN116189728A 公开(公告)日: 2023-05-30
发明(设计)人: W·韩;M·阿拉法;B·S·莫里斯;M·普拉卡什;J·K·皮克特;J·K·格鲁姆斯;B·奎尔巴赫;E·L·佩顿;王东 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G11C5/04 分类号: G11C5/04;G06F13/16
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘瑜
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 插槽 支持 类型
【权利要求书】:

1.一种用于在同一存储器插槽上支持DDR(双倍数据速率)DIMM(双列直插式存储器模块)和NVM(非易失性存储器)DIMM两者的系统,所述系统包括:

逻辑单元;

存储器控制器,其耦合到所述逻辑单元;以及

DIMM,其包括易失性存储器和非易失性存储器,

其中,单个存储器插槽基于指示来自处理器的存储器访问是要被引导至所述易失性存储器还是所述非易失性存储器的信号,提供与所述易失性存储器或所述非易失性存储器的数据通信,其中,所述逻辑单元用于:

基于存储在所述易失性存储器中的数据来生成存储器映射信息,以及

基于所述存储器映射信息来配置所述存储器控制器。

2.根据权利要求1所述的系统,其中,所述逻辑单元用于使得至少部分地基于在一个或多个传感器处检测的信息来对所述易失性存储器或所述非易失性存储器中的一个的操作特性进行修改。

3.根据权利要求2所述的系统,其中,所述一个或多个传感器用于检测以下中的一个或多个的变化:温度、功率消耗、功率耗散、电流消耗或电压消耗。

4.根据权利要求2所述的系统,其中,所述一个或多个传感器包括至少一个管芯上热传感器(TSOD)。

5.根据权利要求1所述的系统,其中,所述存储器控制器能够控制对易失性存储器或非易失性存储器二者的访问。

6.根据权利要求1所述的系统,其中,所述逻辑单元用于经由所述单个存储器插槽在具有一个或多个处理器核心的所述处理器与所述DIMM之间传送数据,其中,所述DIMM对所述处理器显现为单个DIMM。

7.根据权利要求1所述的系统,其中,所述易失性存储器和所述非易失性存储器中的每个都是可寻址的。

8.根据权利要求1所述的系统,其中,所述逻辑单元用于将数据引导至所述易失性存储器或所述非易失性存储器中的一个或从所述易失性存储器或所述非易失性存储器中的一个引导数据。

9.根据权利要求1所述的系统,其中,所述非易失性存储器包括闪速存储器。

10.根据权利要求1所述的系统,其中,所述非易失性存储器包括多个非易失性存储器设备。

11.根据权利要求1所述的系统,其中,所述易失性存储器包括一个或多个动态随机存取存储器设备。

12.根据权利要求1所述的系统,其中,所述非易失性存储器包括以下中的一个或多个:纳米线存储器、铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)、闪速存储器、自旋移矩随机存取存储器(STTRAM)、电阻随机存取存储器、字节可寻址的三维交叉点存储器、PCM(相变存储器)以及在电力故障或电力中断期间由电力储备支持以保留数据的易失性存储器。

13.根据权利要求1所述的系统,还包括用于与所述DIMM或具有一个或多个处理器核心的所述处理器传送数据的一个或多个网络接口。

14.一种用于在同一存储器插槽上支持DDR(双倍数据速率)DIMM(双列直插式存储器模块)和NVM(非易失性存储器)DIMM两者的方法,所述方法包括:

基于指示来自处理器的存储器访问是要被引导至DIMM的易失性存储器还是所述DIMM的非易失性存储器的信号,经由单个存储器插槽与所述易失性存储器和所述非易失性存储器传送数据,

基于存储在所述易失性存储器中的数据来生成存储器映射信息,以及

基于所述存储器映射信息来配置存储器控制器。

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