[发明专利]一种直流偏压检测装置及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202310187109.X | 申请日： | 2023-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN116092983A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗祐;张馨月 | 申请（专利权）人： | 艾希纳半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 | 代理人： | 曾启航 |
| 地址： | 215500 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体生产技术领域，特别涉及一种直流偏压检测装置及其制备方法和应用。其中，一种直流偏压检测装置，晶圆基体，包括键合的下晶圆及上晶圆，下晶圆设置有供能空腔及多个检测空腔，检测空腔与上晶圆形成多个封闭的晶圆格；电压检测模块，设置在检测空腔内部；供能模块，设置在供能空腔内部，与电压检测模块电连接；其中，上晶圆与下晶圆接触部分布置有氧化硅层；上晶圆环绕检测空腔外沿设置有间隔空隙，间隔空隙贯穿上晶圆至氧化硅层。本申请提供的直流偏压检测装置，通过键合的上晶圆与下晶圆，使得直流偏压检测装置可以适应真空环境及离子体环境，使得真空腔室内精确位置处的电压检测得以实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直流 偏压 检测 装置 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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