[发明专利]一种直流偏压检测装置及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202310187109.X | 申请日： | 2023-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN116092983A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗祐;张馨月 | 申请（专利权）人： | 艾希纳半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 | 代理人： | 曾启航 |
| 地址： | 215500 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 直流 偏压 检测 装置 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种直流偏压检测装置，其特征在于：包括
晶圆基体，包括键合的下晶圆及上晶圆，所述下晶圆设置有供能空腔及多个检测空腔，所述检测空腔与所述上晶圆形成多个封闭的晶圆格；
电压检测模块，设置在所述检测空腔内部；
供能模块，设置在所述供能空腔内部，与所述电压检测模块电连接；
其中，所述上晶圆与所述下晶圆接触部分布置有氧化硅层；所述上晶圆环绕所述检测空腔外沿设置有间隔空隙，所述间隔空隙贯穿所述上晶圆至所述氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的直流偏压检测装置，其特征在于：所述间隔空隙内填充有氧化硅隔离层。
3.根据权利要求2所述的直流偏压检测装置，其特征在于：所述氧化硅隔离层表面设置有金属氧化层。
4.根据权利要求3所述的直流偏压检测装置，其特征在于：所述金属氧化层的材料为氧化硅、氮化硅、氧化铝或氧化钇中的任意一种。
5.根据权利要求1所述的直流偏压检测装置，其特征在于：所述下晶圆表面设置有由所述供能空腔至所述电压检测模块的导电线路，所述供能模块通过所述导电线路与所述电压检测模块电连接。
6.根据权利要求1所述的直流偏压检测装置，其特征在于：所述晶圆格采用分散式排布或紧密式排布。
7.根据权利要求1所述的直流偏压检测装置，其特征在于：所述下晶圆及所述上晶圆的材料为硅片。
8.根据权利要求1所述的直流偏压检测装置，其特征在于：所述电压检测模块包括电压检测单元、储存控制单元及无线传输单元；所述供能模块包括蓄电池及无线充能单元；
所述电压检测单元检测所述上晶圆与所述下晶圆间的电位差；所述储存控制单元记录电压检测单元测得的数据；所述无线传输单元将所述储存控制单元记录的数据传输至外部；所述无线充能单元将外部电能无线传输至所述蓄电池，所述蓄电池为所述电压检测模块供能。
9.一种制备如权利要求1至8任一项所述的直流偏压检测装置的制备方法，其特征在于，步骤如下：
S100、在下晶圆刻蚀出检测空腔及供能空腔，在上晶圆拟与所述下晶圆接触部分设置氧化硅层；
S200、在检测空腔内安装电压检测模块，在供能空腔内安装供能模块，使供能模块与电压检测模块电连接；
S300、将所述下晶圆与所述上晶圆进行键合，在所述上晶圆环绕所述检测空腔刻蚀出间隔空隙。
10.一种半导体生产领域的应用，其特征在于：采用了如权利要求1～8任一项所述的直流偏压检测装置。
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