[发明专利]二硫化钨/二硒化钨电极材料、制备方法及其应用在审
申请号: | 202310145892.3 | 申请日: | 2023-02-20 |
公开(公告)号: | CN116230889A | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 孔德斌;冯文婷;智林杰;韩俊伟;岳金书 | 申请(专利权)人: | 中国石油大学(华东) |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/58;H01M10/054 |
代理公司: | 北京云嘉湃富知识产权代理有限公司 11678 | 代理人: | 谢子运 |
地址: | 266580 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: |
本发明属于钾离子电池电极材料技术领域,公开了二硫化钨/二硒化钨电极材料、制备方法及其应用,将高温反应获得的二硫化钨/二硒化钨块体材料与小尺寸离子液体或有机小分子机械混合,离子液体或小分子作为插层剂插入二硫化钨/二硒化钨分子层间中调控层间结构,获得扩层且剥离的超分散二硫化钨/二硒化钨材料;在超分散的二硫化钨/二硒化钨材料中引入铁磁性金属阳离子,获得铁磁性金属阳离子掺杂的超分散二硫化钨/二硒化钨电极材料。本发明利用“插层剥离‑阳离子掺杂”相结合的策略获得具有大层间距、小尺寸、少层数、超分散且具有一定铁磁性特性的二硫化钨/二硒化钨电极材料,用于钾离子电池负极材料,容量可达336mAh·g |
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搜索关键词: | 硫化 二硒化钨 电极 材料 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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