[发明专利]一种3D NOR FLASH芯片的故障判断方法及系统在审
| 申请号： | 202310139066.8 | 申请日： | 2023-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN116129981A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 程晓敏;邱实;何强;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08;G11C29/12;G11C29/56 |
| 代理公司： | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人： | 李君;廖盈春 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种3D NOR FLASH芯片的故障判断方法及系统，属于信息存储领域，方法包括：S1：对待测闪存芯片进行读写擦磨损，并每隔预设次P/E采集扇区写入时长和扇区擦除时长，连续采集预设条样本；S2：若预设条样本的扇区写入时长均小于扇区写入时长阈值，则判定待测闪存芯片不存在故障，否则转至S3；S3：计算待测闪存芯片的扇区写入时长离散度是否小于扇区写入时长离散度阈值，若小于则判定待测闪存芯片正处于正常工作状态，否则，判定待测闪存芯片处于严重扰动状态，停止工作进行故障检测；本发明提供的故障判断方法不需要频繁采集大量样本，简化了判断流程，更具有实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nor flash 芯片 故障 判断 方法 系统 | ||
【主权项】：
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