[发明专利]一种3D NOR FLASH芯片的故障判断方法及系统

权利要求书

1.一种3D NOR FLASH芯片的故障判断方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：对待测闪存芯片进行读写擦磨损，并每隔预设次P/E采集扇区写入时长和扇区擦除时长，连续采集预设条样本；

S2：若预设条样本的扇区写入时长均小于扇区写入时长阈值，则判定待测闪存芯片不存在故障，否则转至S3；

S3：计算待测闪存芯片的扇区写入时长离散度是否小于扇区写入时长离散度阈值，若小于则判定待测闪存芯片正处于正常工作状态，否则，判定待测闪存芯片处于严重扰动状态，停止工作进行故障检测；

其中，扇区写入时长阈值和扇区写入时长离散度阈值的获取方法为：

以与待测闪存芯片同型号的闪存芯片的目标区域的总擦写循环次数为横轴，以同型号的闪存芯片目标扇区写入时长为第一纵轴，构建同型号的闪存芯片的第一寿命图像；以与待测闪存芯片同型号的闪存芯片的目标区域的总擦写循环次数为横轴，以同型号的闪存芯片目标扇区擦除时长为第二纵轴，构建同型号的闪存芯片的第二寿命图像；

根据同型号的闪存芯片的第一寿命图像和第二寿命图像，若扇区写入时长和擦除时长的波动超过预设的范围，或者同型号的闪存芯片停止工作，则将扇区写入时长作为扇区写入时长阈值；

基于同型号的已达到扇区写入时长阈值的闪存芯片，利用扇区写入时长随着P/E次数的变化率的标准差计算扇区写入时长离散度阈值。

2.根据权利要求1所述的故障判断方法，其特征在于，同型号闪存芯片的第一寿命图像和第二寿命图像的构建方法，包括以下步骤：

在室温25℃恒温的条件下，收集同型号闪存芯片目标区域写满每页的时长和擦除扇区的时长；

对同型号闪存芯片P/E采样4次，采样间隔为100P/E，直至同型号闪存芯片出现故障，停止工作；

将所有每页写入时长相加生成扇区写入时长；

以同型号的闪存芯片的目标区域的总擦写循环次数为横轴，以同型号的闪存芯片目标扇区写入时长为第一纵轴，构建同型号的闪存芯片的第一寿命图像；

以同型号的闪存芯片的目标区域的总擦写循环次数为横轴，以同型号的闪存芯片目标扇区写入时长为第二纵轴，构建同型号的闪存芯片的第二寿命图像。

3.根据权利要求1或2所述的故障判断方法，其特征在于，扇区写入时长离散度阈值的获取方法，包括以下步骤：

对同型号的已达到扇区写入时长阈值的闪存芯片进行四次P/E，其中，第一、二、三和四次的P/E次数分别为X₁、X₂、X₃和X₄；第一、二、三和四次的扇区写入时长为Y₁、Y₂、Y₃和Y₄；

采用第一、二、三和四次的P/E次数和扇区写入时长计算扇区写入时长随着P/E次数的变化率；

采用扇区写入时长随着P/E次数的变化率的标准差计算扇区写入时长离散度阈值。