[发明专利]非金属硫族化合物制备二维TMDs合金的方法在审

专利信息
申请号: 202310112635.X 申请日: 2023-02-14
公开(公告)号: CN116200820A 公开(公告)日: 2023-06-02
发明(设计)人: 辛星;刘为振;丁梦凡;辛巍;陈佳美;徐海阳 申请(专利权)人: 东北师范大学
主分类号: C30B25/00 分类号: C30B25/00;C30B29/64;B82Y30/00;B82Y40/00;C30B29/52
代理公司: 长春市东师专利事务所 22202 代理人: 张铁生
地址: 130024 吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明提供了非金属硫族化合物制备二维TMDs合金的方法,它是一种改良的CVD法,包含两种硫族元素的非金属硫族化合物代替硫族单质,作为非金属生长源;可以通过调整非金属生长源与金属生长源添加量的重量比,改变TMDs合金中两种硫族元素比值;WO3添加40mg,分别添加SeS2 55、38、26、15mg,获得了WS0.96Se0.04、WS0.65Se0.35、WS0.5Se0.5、WS0.27Se0.73TMDs四种合金单晶。可以制备化学成分可调的、层数均匀的二维TMDs合金的大尺寸单晶及大面积薄膜。为特定光谱响应的光电子器件、场效应晶体管、柔性电子器件等方面提供更多的选择。
搜索关键词: 非金属 化合物 制备 二维 tmds 合金 方法
【主权项】:
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