[发明专利]非金属硫族化合物制备二维TMDs合金的方法在审
| 申请号： | 202310112635.X | 申请日： | 2023-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN116200820A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 辛星;刘为振;丁梦凡;辛巍;陈佳美;徐海阳 | 申请（专利权）人： | 东北师范大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/64;B82Y30/00;B82Y40/00;C30B29/52 |
| 代理公司： | 长春市东师专利事务所 22202 | 代理人： | 张铁生 |
| 地址： | 130024 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非金属 化合物 制备 二维 tmds 合金 方法 | ||
1.非金属硫族化合物制备二维TMDs合金的方法，采用CVD法，其特征在于：所述的非金属生长源为包含两种硫族元素的非金属硫族化合物。
2.根据权利要求1所述的非金属硫族化合物制备二维TMDs合金的方法，其特征在于：通过调整非金属生长源与金属生长源添加量的重量比，改变TMDs合金中两种硫族元素的化学计量比。
3.根据权利要求2所述的非金属硫族化合物制备二维TMDs合金的方法，其特征在于：所述的非金属硫族化合物包括：SeS2、 SeTe和或TeS2。
4.根据权利要求3所述的非金属硫族化合物制备二维TMDs合金的方法，其特征在于：所述的生长温度为700 ℃～1000 ℃，在生长过程中通入氢气和惰性气体。
5.根据权利要求4所述的非金属硫族化合物制备二维TMDs合金的方法，其特征在于：金属反应源为WO3或MoO3；衬底为金或非金属衬底，所述的非金属衬底包括：硅片、蓝宝石、云母或石英。
6.根据权利要求1、2、3、4或5所述的非金属硫族化合物制备二维TMDs合金的方法，其特征在于：所述的金属生长源1~200mg，非金属生长源1~100mg，金属生长源与非金属生长源的重量比为0.1~10。
7.根据权利要求6所述的非金属硫族化合物制备二维TMDs合金的方法，其特征在于：所制备的二维TMDs合金中，两种硫族元素的化学计量比的范围为0~1。
8.根据权利要求7所述的非金属硫族化合物制备二维TMDs合金的方法，其特征在于：所制备的二维TMDs合金层数均匀，层数为1~10层。
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