[发明专利]一种硅硅键合埋层结构的单面步进光刻对准方法在审

专利信息
申请号: 202310110979.7 申请日: 2023-02-14
公开(公告)号: CN116243568A 公开(公告)日: 2023-06-09
发明(设计)人: 王丹丹;陈迎迎;刘彤 申请(专利权)人: 苏州恒芯微电子有限公司
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00;G03F7/20;B81C3/00
代理公司: 北京国源中科知识产权代理事务所(普通合伙) 16179 代理人: 戈余丽
地址: 215000 江苏省苏州市自由贸易试验区苏州片区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及硅基芯片技术领域,且公开了一种硅硅键合埋层结构的单面步进光刻对准方法,使用步进光刻机在载体硅片的单面采用光刻工艺得到对准标记浅腔,再在对准标记浅腔内进行进一步对准标记,形成对准标记深腔,在对准标记深腔表面形成氧化硅保护膜,保护对准标记,再使用光刻工艺在载体硅片的中心区域形成支撑层浅腔,采用和载体硅片长度相同的硅片,将硅片对准到载体硅片进行步进光刻的一面,进行硅硅键合,在载体硅片上形成结构层,使用光刻工艺对结构层进行二次光刻,露出表面形成氧化硅保护膜的对准标记深腔,对支撑层浅腔上方的结构层进行光刻,支撑层浅腔和结构层进行套准,得到载体硅片和硅片键合后的硅硅键合埋层结构。
搜索关键词: 一种 硅硅键合埋层 结构 单面 步进 光刻 对准 方法
【主权项】:
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