[发明专利]一种硅硅键合埋层结构的单面步进光刻对准方法在审
申请号: | 202310110979.7 | 申请日: | 2023-02-14 |
公开(公告)号: | CN116243568A | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
发明(设计)人: | 王丹丹;陈迎迎;刘彤 | 申请(专利权)人: | 苏州恒芯微电子有限公司 |
主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00;G03F7/20;B81C3/00 |
代理公司: | 北京国源中科知识产权代理事务所(普通合伙) 16179 | 代理人: | 戈余丽 |
地址: | 215000 江苏省苏州市自由贸易试验区苏州片区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及硅基芯片技术领域,且公开了一种硅硅键合埋层结构的单面步进光刻对准方法,使用步进光刻机在载体硅片的单面采用光刻工艺得到对准标记浅腔,再在对准标记浅腔内进行进一步对准标记,形成对准标记深腔,在对准标记深腔表面形成氧化硅保护膜,保护对准标记,再使用光刻工艺在载体硅片的中心区域形成支撑层浅腔,采用和载体硅片长度相同的硅片,将硅片对准到载体硅片进行步进光刻的一面,进行硅硅键合,在载体硅片上形成结构层,使用光刻工艺对结构层进行二次光刻,露出表面形成氧化硅保护膜的对准标记深腔,对支撑层浅腔上方的结构层进行光刻,支撑层浅腔和结构层进行套准,得到载体硅片和硅片键合后的硅硅键合埋层结构。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅硅键合埋层 结构 单面 步进 光刻 对准 方法 | ||
【主权项】:
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