[发明专利]一种硅硅键合埋层结构的单面步进光刻对准方法

权利要求书

1.一种硅硅键合埋层结构的单面步进光刻对准方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一、选取载体硅片，使用步进光刻机，在载体硅片的单面采用光刻工艺得到对准标记浅腔；

步骤二、使用光刻工艺在对准标记浅腔内进行进一步对准标记，形成对准标记深腔；

步骤三、在对准标记深腔的表面形成保护膜；

步骤四、使用光刻工艺在载体硅片的中心区域形成支撑层浅腔；

步骤五、采用和载体硅片相同长度的硅片，将硅片对准到载体硅片进行步进光刻的一面，进行硅硅键合，在载体硅片上形成结构层；

步骤六、使用光刻工艺对结构层进行二次光刻，露出表面形成保护膜的对准标记深腔；

步骤七、使用光刻工艺对支撑层浅腔上方的结构层进行光刻，由步进对准标记进行支撑层浅腔和结构层的套准，得到载体硅片和硅片键合后的硅硅键合埋层结构。

2.根据权利要求1所述的硅硅键合埋层结构的单面步进光刻对准方法，其特征在于：所述步骤一中的载体硅片包括单晶硅、多晶硅、多孔硅中的一种。

3.根据权利要求1所述的硅硅键合埋层结构的单面步进光刻对准方法，其特征在于：所述步骤三中形成的保护膜的厚度为320-350nm。

4.根据权利要求1所述的硅硅键合埋层结构的单面步进光刻对准方法，其特征在于：所述步骤三中形成的保护膜为氧化硅保护膜。

5.根据权利要求1所述的硅硅键合埋层结构的单面步进光刻对准方法，其特征在于：所述步骤三中深腔的对准标记表面形成的保护膜通过热氧化的方式形成，热氧化过程中热氧化的温度为850-900℃，氧气的体积分数为60％。

6.根据权利要求1所述的硅硅键合埋层结构的单面步进光刻对准方法，其特征在于：所述步骤五中硅硅键合过程中，先使用去离子水对载体硅片和硅片进行清洗和表面处理，在表面形成硅烷醇键，表面形成亲水性，将待键合的两个表面贴紧，对准后，进行硅硅键合。

7.根据权利要求1所述的硅硅键合埋层结构的单面步进光刻对准方法，其特征在于：所述步骤五中使用滤纸吸收载体硅片和硅片表面的水分。

8.根据权利要求1所述的硅硅键合埋层结构的单面步进光刻对准方法，其特征在于：所述步骤七中套准的对准精度为0-100nm。