[发明专利]带隙基准芯片及其制备方法、电子设备在审
| 申请号： | 202310082287.6 | 申请日： | 2023-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN116314258A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 刘涛;黄汇钦 | 申请（专利权）人： | 天狼芯半导体（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/08;H01L29/861;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 阳方玉 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体器件领域，提供了一种带隙基准芯片及其制备方法、电子设备，该带隙基准芯片包括：P型硅层、N型硅层、N型碳化硅层、多个P型掺杂区、阳极金属层、阴极金属层，通过P型硅层和N型硅层形成具有负温度系数的PN结，然后由N型碳化硅层、多个P型掺杂区、阳极金属层形成具有正温度系数的肖特基结，从而由PN结和肖特基结串联互相抵消其温度特性，改善现有的二极管结构的通态压降对温度的依赖性，实现稳压电路的精准性。 | ||
| 搜索关键词： | 基准 芯片 及其 制备 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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