[发明专利]带隙基准芯片及其制备方法、电子设备在审
| 申请号： | 202310082287.6 | 申请日： | 2023-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN116314258A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 刘涛;黄汇钦 | 申请（专利权）人： | 天狼芯半导体（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/08;H01L29/861;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 阳方玉 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基准 芯片 及其 制备 方法 电子设备 | ||
1.一种带隙基准芯片，其特征在于，所述带隙基准芯片包括：
P型硅层；
N型硅层，形成于所述P型硅层的背面；
N型碳化硅层，形成于所述P型硅层的正面；
多个P型掺杂区，形成于所述N型碳化硅层的正面；
阳极金属层，形成于所述N型碳化硅层的正面，并与所述N型碳化硅层之间形成肖特基接触；
阴极金属层，形成于所述N型硅层的背面。
2.如权利要求1所述的带隙基准芯片，其特征在于，所述P型硅层与所述N型硅层的厚度相等。
3.如权利要求1所述的带隙基准芯片，其特征在于，多个所述P型掺杂区呈阵列设置于所述N型碳化硅层与所述阳极金属层之间。
4.如权利要求1所述的带隙基准芯片，其特征在于，所述N型硅层为凹形结构，所述P型硅层形成于所述N型硅层的内壁，且所述P型硅层也为凹形结构。
5.如权利要求4所述的带隙基准芯片，其特征在于，所述N型碳化硅层为凹形结构，所述阳极金属层形成于所述N型碳化硅层的凹槽内。
6.如权利要求5所述的带隙基准芯片，其特征在于，多个所述P型掺杂区形成于所述N型碳化硅层的凹槽内壁。
7.如权利要求1-6任一项所述的带隙基准芯片，其特征在于，所述N型碳化硅层的厚度大于所述P型硅层和所述N型硅层的厚度之和。
8.一种带隙基准芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
在N型硅层的正面形成P型硅层；
在所述P型硅层的正面形成N型碳化硅层；
在所述N型碳化硅层的正面形成多个P型掺杂区；
在所述N型碳化硅层的正面以及多个所述P型掺杂区上形成阳极金属层；其中，所述阳极金属层与所述N型碳化硅层之间形成肖特基接触；
在所述N型硅层的背面形成阴极金属层。
9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述N型碳化硅层的厚度大于所述P型硅层和所述N型硅层的厚度之和。
10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1-7任一项所述的带隙基准芯片。
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