[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管有效
| 申请号： | 202310079160.9 | 申请日： | 2023-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN115832134B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 张彩霞;印从飞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 李素兰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，其包括衬底和依次设于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层；所述N‑GaN层和多量子阱层之间设有缓冲层，所述缓冲层包括依次设于所述N‑GaN层上的MgN三维诱导层、SiGaN三维层和填平层。本发明还公开了一种发光二极管。采用本发明可以有效释放底层应力，使多量子阱区的电子空穴分布均匀，提升电子的扩展能力，提高发光二极管的发光效率和抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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