[发明专利]一种二维钼碲合金及超高真空下制备二维钼碲合金的方法在审

专利信息
申请号: 202310054569.5 申请日: 2023-02-03
公开(公告)号: CN116219540A 公开(公告)日: 2023-06-06
发明(设计)人: 潘泽敏;张辉;简涛;张晨栋 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: C30B25/02 分类号: C30B25/02;C30B29/46;C30B33/02;C30B25/18;C22C27/04;C30B25/16
代理公司: 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 代理人: 马丽娜
地址: 430000*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种二维钼碲合金及超高真空下制备二维钼碲合金的方法,该方法包括:超高真空环境下,通过分子束外延法制备2H相的MoTe2薄膜;将2H相的MoTe2薄膜在400℃~450℃、超真空环境中退火,使Mo和Te进行化学键合,获得二维钼碲合金。本发明通过对2H相的MoTe2薄膜400℃~450℃退火处理,获得了有序、镜面对称孪晶界超晶格的二维钼碲合金,该二维钼碲合金具有较高的科研价值和广泛的应用潜力,该制备方法简单、有效、可控。
搜索关键词: 一种 二维 合金 超高 真空 制备 方法
【主权项】:
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