[发明专利]一种底栅钙钛矿场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202310053783.9 | 申请日： | 2023-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN116113242A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 胡袁源;夏江南 | 申请（专利权）人： | 湖南大学深圳研究院 |
| 主分类号： | H10K10/46 | 分类号： | H10K10/46;H10K85/30;H10K71/12;H10K71/15 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明;赵吉阳 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种底栅钙钛矿场效应晶体管及其制备方法，通过制备离子胶溶液以及钙钛矿半导体层前驱液；在形成有栅电极衬底上旋涂离子胶溶液并退火形成离子胶介电层；在离子胶介电层上形成钙钛矿半导体层以及源电极、漏电极，形成底栅钙钛矿场效应晶体管。该底栅钙钛矿场效应晶体管包括栅电极、衬底、介电层、半导体层、源电极、漏电极，所述介电层为离子胶，所述半导体层为钙钛矿层。通过该方法获得的钙钛矿场效应晶体管的工作电压降低到5V以下，实现低成本、快速、高效的低工作电压的钙钛矿场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 底栅钙钛 矿场 效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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