[发明专利]一种底栅钙钛矿场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202310053783.9 | 申请日： | 2023-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN116113242A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 胡袁源;夏江南 | 申请（专利权）人： | 湖南大学深圳研究院 |
| 主分类号： | H10K10/46 | 分类号： | H10K10/46;H10K85/30;H10K71/12;H10K71/15 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明;赵吉阳 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 底栅钙钛 矿场 效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种底栅钙钛矿场效应晶体管，其特征在于，包括栅电极、衬底、介电层、半导体层、源电极、漏电极，所述介电层为离子胶，所述半导体层为钙钛矿层。
2.如权利要求1所述一种底栅钙钛矿场效应晶体管，其特征在于，所述钙钛矿为锡基钙钛矿。
3.如权利要求1所述一种底栅钙钛矿场效应晶体管，其特征在于，所述离子胶为[PVDF-HFP][EMIM TFSI]、[PVDF-TrFE][EMIM TFSI]。
4.如权利要求1所述一种底栅钙钛矿场效应晶体管，其特征在于，所述钙钛矿需要溶于甲醇溶液之后再形成半导体层。
5.如权利要求2所述一种底栅钙钛矿场效应晶体管，其特征在于，所述锡基钙钛矿为：PEA2SnI4，BA2SnI4或BDASnI4。
6.一种制备底栅钙钛矿场效应晶体管的方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)制备离子胶溶液以及钙钛矿半导体层前驱液；
(2)在形成有栅电极衬底上旋涂离子胶溶液并退火形成离子胶介电层；
(3)在离子胶介电层上形成钙钛矿半导体层以及源电极、漏电极，形成底栅钙钛矿场效应晶体管。
7.如权利要求6所述一种制备底栅钙钛矿场效应晶体管的方法，其特征在于，所述步骤(3)包括：
(3.1)在离子胶介电层上旋涂钙钛矿半导体层前驱液并退火形成钙钛矿半导体层；
(3.2)制备源、漏电极形成底栅顶接触钙钛矿场效应晶体管。
8.如权利要求6所述一种制备底栅钙钛矿场效应晶体管的方法，其特征在于，所述步骤(3)包括：
(3.1)在离子胶介电层上制备源、漏电极；
(3.2)旋涂钙钛矿半导体层前驱液并退火形成钙钛矿半导体层从而形成底栅底接触钙钛矿场效应晶体管。
9.如权利要求6所述一种制备底栅钙钛矿场效应晶体管的方法，其特征在于，所述钙钛矿为锡基钙钛矿。
10.如权利要求6所述一种制备底栅钙钛矿场效应晶体管的方法，其特征在于，步骤(1)所述制备钙钛矿半导体前驱液是将钙钛矿组分溶于甲醇溶液形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南大学深圳研究院，未经湖南大学深圳研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310053783.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种杉木大径材的培育方法
- 下一篇：一种切片分布式消磁线圈
