[发明专利]一种半导体结构的制备方法在审
| 申请号： | 202310046123.8 | 申请日： | 2023-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN116092964A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 徐衡 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 张亚静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构的制备方法，应用于半导体技术领域。在带有介质防反射层(DARC)的金属(Aluminum)导线刻蚀过程中，传统方式是通过终点检测系统(EPD)检测氟和铝等离子体两种波长的光强变化来判定DARC和金属铝的刻蚀终点。本发明采用了新的检测波长，设定合理的EPD算法，利用检测一种固定波长的光强变化就可以识别介质防反射层和金属层这两种介质的刻蚀终点，即将传统的两种波长信号转化为一种波长信号，从而消除干涉仪由于高频度信号转换带来的损耗，增加了干涉仪的识别精度，最终实现提高干涉仪的使用寿命的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
