[发明专利]一种半导体结构的制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一半导体衬底，在所述半导体衬底的表面上自上而下依次形成有显影刻胶层、介质防反射层、第一金属粘合层、金属层和第二金属粘合层；

对所述半导体衬底进行第一步刻蚀工艺，并利用终点检测系统EPD检测预选定波长的光强变化，以确定出第一步刻蚀工艺所刻蚀的介质防反射层的刻蚀停止时间；

对所述半导体衬底进行第二步刻蚀工艺，并再次利用所述终点检测系统EPD检测所述预选定波长的光强变化，以确定出所述第二步刻蚀工艺所刻蚀的金属层的刻蚀停止时间；

对所述半导体衬底进行过刻蚀，去除所述第二金属粘合层，以在所述半导体衬底的表面上形成由所述介质防反射层、第一金属粘合层、金属层和第二金属粘合层组成的分立结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述终点检测系统EPD在第一步刻蚀工艺和/或第二步刻蚀工艺中所设置的检测信号的预选定波长的范围为256nm～266nm。

3.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述半导体衬底表面上依次形成有显影刻胶层、介质防反射层、第一金属粘合层、金属层和第二金属粘合层之前，所述半导体衬底的表面上还形成有自然氧化层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在对所述半导体衬底进行过刻蚀，以去除所述第二金属粘合层的同时，还同步去除部分厚度的所述自然氧化层。

5.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述金属层的材料包括AlCu。

6.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述介质防反射层为硅化物层，所述硅化物层的材料包括氧化硅或氮氧化硅。

7.如权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，利用终点检测系统EPD检测特定波长信号确定刻蚀工艺的刻蚀停止时间的步骤，包括：

将所述终点检测系统EPD的检测信号的预选定波长设置为261nm，并在所述第一步刻蚀工艺或所述第二步刻蚀工艺的过程中，利用终点检测系统EPD的发射光谱，根据每步刻蚀工艺中等离子发射光谱曲线的变化结合对应算法确定所述每步刻蚀工艺的刻蚀停止时间。

8.如权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，确定的所述第一步刻蚀工艺中检测的生成物为含硅的化合物，所述第二步刻蚀工艺中的检测生成物为氯化铝化合物。

9.如权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，根据每步刻蚀工艺中选定生成物的发射光谱曲线变化确定所述每次刻蚀工艺的刻蚀停止时间的步骤，包括：

在所述第一步刻蚀工艺中，当所述干涉仪检测的到氯化铝的对应的光强上升时，则停止第一步刻蚀工艺；以及，在所述第二步刻蚀工艺中，当所述干涉仪检测到生成物氯化铝的波长对应的光强开始降低时，则停止第二步刻蚀工艺。

10.如权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，利用检测信号波长可控的终点检测系统EPD确定刻蚀工艺的刻蚀时间的步骤，包括：

将所述终点检测系统EPD的检测信号的预选定波长设置为261nm，并在所述第一步刻蚀工艺或所述第二步刻蚀工艺的过程中，利用终点检测系统EPD检测对应波长所形成发射光谱曲线，并通过相应算法对光谱曲线进行分析，以确定每步刻蚀工艺的刻蚀停止时间。