[发明专利]闪存器件的制造方法在审
| 申请号： | 202310046120.4 | 申请日： | 2023-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN116096087A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 张连宝;杨辉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/00 | 分类号： | H10B41/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 张亚静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种闪存器件的制造方法，以图案化的硬掩模层为掩膜刻蚀所述图案化的硬掩模层下方的浮栅层和衬底，以形成隔离沟槽；进行第一灰化工艺及湿法清洗工艺，去除刻蚀工艺中产生的副产物；在所述浮栅层的靠近所述隔离沟槽一侧的侧壁形成隔离层；以及，在所述隔离沟槽内填充形成介质层。本发明通过在浮栅层的侧壁上形成隔离层，阻止磷析出，从而减少或避免浮栅层中因析出的磷与刻蚀过程中的副产物反应而产生的凹陷及杂质微粒，进而改善浮栅层的刻蚀效果以及闪存器件的形貌，避免所述闪存器件失效。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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