[发明专利]闪存器件的制造方法

权利要求书

1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅层和图案化的硬掩模层；

进行刻蚀工艺，以所述图案化的硬掩模层为掩膜刻蚀所述浮栅层和所述衬底，以形成隔离沟槽；

进行第一灰化工艺及湿法清洗工艺，去除刻蚀工艺中产生的副产物；

在所述浮栅层的靠近所述隔离沟槽一侧的侧壁形成隔离层；以及，

在所述隔离沟槽内填充形成介质层。

2.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，采用第二灰化工艺或热氧化生长工艺形成所述隔离层。

3.如权利要求2所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述隔离层的材料包括氧化硅。

4.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，在形成所述隔离层之后，形成所述介质层之前，还包括：

进行预清洗工艺，去除所述图案化的硬掩模层的表面以及所述隔离沟槽的侧壁及底部的杂质或微尘。

5.如权利要求2所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，在形成所述隔离层之后，进行所述预清洗工艺之前，还包括：

进行在线量测和/或刻蚀后检测，以检验所述闪存器件是否符合制程要求。

6.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺形成所述隔离沟槽。

7.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，在所述隔离沟槽内填充形成所述介质层的过程包括：

沉积形成填满所述隔离沟槽的介质层，所述介质层延伸覆盖所述隔离沟槽两侧的所述图案化的硬掩模层的表面；

对所述介质层进行平坦化处理，去除所述图案化的硬掩模层的表面的介质层，并使所述介质层的表面与所述图案化的硬掩模层的表面齐平。

8.如权利要求7所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，采用高密度等离子体化学气相沉积工艺形成所述介质层。

9.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述衬底和所述浮栅层之间还形成有栅氧化层。

10.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述闪存器件的制造方法用于制造分栅式闪存器件。