[发明专利]金属层的形成方法在审
| 申请号： | 202310036399.8 | 申请日： | 2023-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN115910918A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 赖阳军;李志华 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 刘婧 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种金属层的形成方法，该金属层的形成方法包括提供一基底，并将基底的一面吸附于静电吸盘上，静电吸盘的加热功能处于关闭状态；通过第一金属沉积工艺在基底的另一面上形成第一金属层；开启静电吸盘的加热功能；在第一金属层上多次交替进行第二金属沉积工艺和冷却，形成具有目标厚度的第二金属层。本方案可以提高半导体器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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