[发明专利]金属层的形成方法在审
| 申请号： | 202310036399.8 | 申请日： | 2023-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN115910918A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 赖阳军;李志华 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 刘婧 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 形成 方法 | ||
1.一种金属层的形成方法，其特征在于，包括：
提供一基底，并将所述基底的一面吸附于静电吸盘上，所述静电吸盘的加热功能处于关闭状态；
通过第一金属沉积工艺在所述基底的另一面上形成第一金属层；
开启所述静电吸盘的加热功能；
在所述第一金属层上多次交替进行第二金属沉积工艺和冷却，形成具有目标厚度的第二金属层。
2.如权利要求1所述的金属层的形成方法，其特征在于，所述第二金属沉积工艺和所述冷却的次数与所述第二金属层的目标厚度成正比。
3.如权利要求2所述的金属层的形成方法，其特征在于，每一次所述冷却的时长相同。
4.如权利要求1所述的金属层的形成方法，其特征在于，所述静电吸盘背向所述基底的一侧设置有气流通道，所述气流通道用于传输具有热量的惰性气体。
5.如权利要求4所述的金属层的形成方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气。
6.如权利要求1所述的金属层的形成方法，其特征在于，所述第一金属沉积工艺和所述第二金属沉积工艺为溅射沉积工艺。
7.如权利要求6所述的金属层的形成方法，其特征在于，所述第一金属沉积工艺和所述第二金属沉积工艺采用的惰性气体为氩气。
8.如权利要求1-7任一项所述的金属层的形成方法，其特征在于，每一次所述第二金属沉积工艺的沉积时长为35秒~50秒，沉积厚度为0.6微米~0.8微米。
9.如权利要求1-7任一项所述的金属层的形成方法，其特征在于，每一次所述冷却的时长为40秒~55秒。
10.如权利要求1-7任一项所述的金属层的形成方法，其特征在于，所述第一金属沉积工艺的时长为15秒~30秒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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