[发明专利]基于关注区域的缺陷检测在审
| 申请号： | 202310032591.X | 申请日： | 2023-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN116631886A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | S·考特卡尔;S·劳特;S·K·伊赛提;N·M·S·钱丹 | 申请（专利权）人： | 应用材料以色列公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/88;G01N21/95;G06T7/00;G06T17/00;G06V10/25 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 以色列瑞*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了辅助半导体样品上的缺陷检测的系统和方法。所述方法包括：获得提供管芯上的要检查的多个关注区域(CA)的信息的第一图；创建包围多个CA的多个边界矩形(BR)；以及将多个BR压缩为压缩矩形集合以满足预定义的检查容量，同时尝试最小化由压缩矩形集合包围的非CA区域，从而产生提供压缩矩形集合的信息的第二图。所述压缩包括构造表示多个BR和压缩矩形的R树结构，并且基于预定义的检查容量从R树结构中选择节点集合，所述节点集合表示压缩矩形集合。所述第二图可用于过滤指示管芯上的缺陷候选分布的缺陷图。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 关注 区域 缺陷 检测 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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