[发明专利]一种低漏电低压稳压二极管的制备方法在审
| 申请号： | 202310030607.3 | 申请日： | 2023-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN116013780A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 彭时秋;胡高康;王涛;黄龙;吴建伟;张世权 | 申请（专利权）人： | 无锡中微晶园电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/265;H01L21/324;H01L29/45 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种低漏电低压稳压二极管的制备方法，属于半导体领域。提供N型衬底，在其表面依次形成N型外延层和场氧化层；在N型外延层中形成P+离子注入区，在整个表面淀积介质层；在P+离子注入区表面的介质层上开孔，形成欧姆接触区；在表面淀积金属，形成正面金属电极，在整个表面淀积钝化层并开孔，露出金属引线孔；研磨减薄N型衬底的背面，然后在N型衬底的背面淀积多层金属，形成背面金属电极。本发明减少了P‑区，可以相应的减少一次光刻，缩短生产流通周期，降低制造成本；正面金属电极为钛铝双层金属，钛在底层，形成良好的欧姆接触，减小接触电阻，同时可以有效避免铝穿刺现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 漏电 低压 稳压二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡中微晶园电子有限公司，未经无锡中微晶园电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310030607.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
