[发明专利]一种低漏电低压稳压二极管的制备方法

权利要求书

1.一种低漏电低压稳压二极管的制备方法，其特征在于，包括：

步骤一：提供N型衬底，在其表面依次形成N型外延层和场氧化层；

步骤二：在N型外延层中形成P+离子注入区，在整个表面淀积介质层；

步骤三：在P+离子注入区表面的介质层上开孔，形成欧姆接触区；

步骤四：在表面淀积金属，形成正面金属电极，在整个表面淀积钝化层并开孔，露出金属引线孔；

步骤五：研磨减薄N型衬底的背面，然后在N型衬底的背面淀积多层金属，形成背面金属电极。

2.如权利要求1所述的低漏电低压稳压二极管的制备方法，其特征在于，所述N型衬底为100晶向，掺As，电阻率为0.002ohm.cm～0.004ohm.cm，厚度为625μm。

3.如权利要求1所述的低漏电低压稳压二极管的制备方法，其特征在于，所述N型外延层的电阻率为0.010ohm.cm～0.017ohm.cm，厚度为3μm～5μm。

4.如权利要求1所述的低漏电低压稳压二极管的制备方法，其特征在于，所述P+离子注入区为离子BF₂注入，掺杂浓度为1E16cm^-3～8E16cm^-3，离子注入能量在60KeV～80KeV。

5.如权利要求1所述的低漏电低压稳压二极管的制备方法，其特征在于，所述场氧化层FOX作为第一绝缘隔离层，其厚度为0.5μm～0.8μm；所述介质层作为第二绝缘隔离层，其厚度为0.3μm～0.5μm。

6.如权利要求1所述的低漏电低压稳压二极管的制备方法，其特征在于，在P+离子注入区表面的介质层上开孔，形成欧姆接触区包括：

利用光刻定义欧姆接触区，并通过湿法工艺腐蚀表层的介质层，使得后续的正面金属电极与P+离子注入区连接。

7.如权利要求1所述的低漏电低压稳压二极管的制备方法，其特征在于，所述正面金属电极为钛铝双层金属，钛在底层，厚度为0.1μm～0.2μm；铝在表层，属厚度为4μm～8μm。

8.如权利要求1所述的低漏电低压稳压二极管的制备方法，其特征在于，所述钝化层为SiO₂和Si₃N₄双层膜质，且SiO₂在内层，厚度为0.3μm～0.4μm；Si₃N₄在外层，厚度为0.4μm～0.6μm。

9.如权利要求1所述的低漏电低压稳压二极管的制备方法，其特征在于，研磨减薄N型衬底的背面，然后在N型衬底的背面淀积多层金属，形成背面金属电极包括：

将所述N型衬底减薄到180μm，通过蒸发工艺制作背面金属，形成背面金属电极；其中背面金属的材质为TiNiSnCuAu或TiNiSnSbAg。