[发明专利]一种阳极短路沟槽RC-IGBT器件及制备方法在审
| 申请号： | 202310008641.0 | 申请日： | 2023-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN116417505A | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王万;李娜 | 申请（专利权）人： | 江苏索力德普半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 无锡睿升知识产权代理事务所(普通合伙) 32376 | 代理人： | 张悦 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阳极短路沟槽RC‑IGBT器件，其技术方案漂移区N‑drift，漂移区N‑drift设置在RC‑IGBT器件的背面；P+掺杂区域，所述P+掺杂区域设置在RC‑IGBT器件的背面；沟槽若干，所述沟槽开设在RC‑IGBT器件的背面，若干所述沟槽相互平行布置，所述沟槽穿过P+掺杂区域，将P+掺杂区域分隔成若干段；N+掺杂区域，所述N+掺杂区域设置在沟槽的尾端，N+掺杂区域将相邻的两个P+掺杂区域连接；电极collector，在RC‑IGBT器件的背面的边缘淀积金属形成电极collector，电极collector位于P+掺杂区域外侧，本发明的优点在于器件背面沟槽底部注入杂质形成N+掺杂区域，且沟槽穿过P+掺杂区域，淀积金属后两个掺杂区域通过金属短接构成RC‑IGBT结构，起到反向导通作用，同时提高IGBT注入效率，降低IGBT导通压降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阳极 短路 沟槽 rc igbt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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