[发明专利]一种阳极短路沟槽RC-IGBT器件及制备方法在审
| 申请号： | 202310008641.0 | 申请日： | 2023-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN116417505A | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王万;李娜 | 申请（专利权）人： | 江苏索力德普半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 无锡睿升知识产权代理事务所(普通合伙) 32376 | 代理人： | 张悦 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阳极 短路 沟槽 rc igbt 器件 制备 方法 | ||
1.一种阳极短路沟槽RC-IGBT器件，其特征在于，包括：
漂移区N-drift，漂移区N-drift设置在RC-IGBT器件的背面；
P+掺杂区域，所述P+掺杂区域设置在RC-IGBT器件的背面；
沟槽若干，所述沟槽开设在RC-IGBT器件的背面，若干所述沟槽相互平行布置，所述沟槽穿过P+掺杂区域，将P+掺杂区域分隔成若干段；
N+掺杂区域，所述N+掺杂区域设置在沟槽的尾端，N+掺杂区域将相邻的两个P+掺杂区域连接；
电极collector，在RC-IGBT器件的背面的边缘淀积金属形成电极collector，电极collector位于P+掺杂区域外侧。
2.根据权利要求1所述的一种阳极短路沟槽RC-IGBT器件，其特征在于：所述P+掺杂区域上设置有氧化层，氧化层上进行刻蚀形成沟槽。
3.根据权利要求2所述的一种阳极短路沟槽RC-IGBT器件，其特征在于：所述N+掺杂区域的外形呈弧形。
4.根据权利要求1～3任一项所述的一种阳极短路沟槽RC-IGBT器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1、RC-IGBT器件正面和背面基本结构的制造；
步骤S2、RC-IGBT器件背面做第一次离子注入工艺，注入的杂质经过退火工艺激活杂质并推阱形成P+掺杂区域；
步骤S3、RC-IGBT器件背面生长氧化层，通过光刻工艺及刻蚀工艺在氧化层上打开窗口，在窗口处继续刻蚀硅材料，形成呈间隔排布的沟槽，沟槽穿过P+掺杂区域；
步骤S4、RC-IGBT器件背面做第二次离子注入工艺，注入的杂质经过退火工艺激活杂质并推阱在沟槽末尾形成N+掺杂区域；
步骤S5、RC-IGBT器件背面边缘淀积金属，形成背面集电极collector。
5.根据权利要求4所述的一种阳极短路沟槽RC-IGBT器件的制造方法，其特征在于：在步骤S2中，注入杂质为硼B。
6.根据权利要求4所述的一种阳极短路沟槽RC-IGBT器件的制造方法，其特征在于：在步骤S2中，退火工艺参数为：退火温度420℃±0.5min，退火时间30min±1min。
7.根据权利要求4所述的一种阳极短路沟槽RC-IGBT器件的制造方法，其特征在于：在步骤S3中，氧化层为SiO2。
8.根据权利要求7所述的一种阳极短路沟槽RC-IGBT器件的制造方法，其特征在于：在步骤S4中，注入杂质为磷P。
9.根据权利要求8所述的一种阳极短路沟槽RC-IGBT器件的制造方法，其特征在于：在步骤S4中，退火工艺激活参数为：采用Laser Anneal激光退火，以激光束方式照射RC-IGBT器件的晶圆背面，使局部温度超过1100℃。
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