[发明专利]一种PtTe2

摘要

本发明提供了一种PtTe2‑GaAs异质结光电晶体管及其制备方法，所述方法包括如下步骤：提供GaAs衬底，在所述GaAs衬底表面沉积SiO2薄膜；对部分区域的SiO2薄膜进行刻蚀，直到暴露出底部的GaAs衬底表面；将PtTe2纳米片转移到所述GaAs衬底和SiO2薄膜的边界位置，所述PtTe2纳米片底部一部分与SiO2薄膜接触，另一部分和GaAs衬底接触形成垂直异质结；制备电极图案，在所述PtTe2纳米片两侧的GaAs衬底和SiO2薄膜表面形成源、漏电极；将上述整体器件退火，制得PtTe2‑GaAs异质结光电晶体管。本发明将金属与半导体结合制得PtTe2‑GaAs异质结光电晶体管，不仅加快了光响应速度，还表现出较高的光灵敏度和比探测率，促进了微纳光电子器件方面的应用发展。