[发明专利]一种PtTe2

权利要求书

1.一种PtTe₂-GaAs异质结光电晶体管制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供GaAs衬底，在所述GaAs衬底表面沉积SiO₂薄膜；

对部分区域的SiO₂薄膜进行刻蚀，直到暴露出底部的GaAs衬底表面；

将PtTe₂纳米片转移到所述GaAs衬底和SiO₂薄膜的边界位置，所述PtTe₂纳米片底部一部分与SiO₂薄膜接触，另一部分和GaAs衬底接触形成垂直异质结；

制备电极图案，在所述PtTe₂纳米片两侧的GaAs衬底和SiO₂薄膜表面形成源、漏电极；

将上述整体器件退火，制得PtTe₂-GaAs异质结光电晶体管。

2.根据权利要求1所述一种PtTe₂-GaAs异质结光电晶体管制备方法，其特征在于，在提供GaAs衬底之前，对所述GaAs衬底进行清洁，具体包括：用丙酮、异丙醇、去离子水各超声GaAs衬底一段时间；然后用氮气枪吹干，制得洁净的GaAs衬底。

3.根据权利要求1所述一种PtTe₂-GaAs异质结光电晶体管制备方法，其特征在于，所述沉积SiO₂薄膜的工艺为利用PECVD方法在所述GaAs衬底表面沉积SiO₂薄膜。

4.根据权利要求1所述一种PtTe₂-GaAs异质结光电晶体管制备方法，其特征在于，所述将PtTe₂纳米片转移到GaAs衬底上具体包括：通过金辅助剥离和转移得到的PtTe₂纳米片，通过PMMA湿法转移到GaAS衬底上形成垂直异质结。

5.根据权利要求1所述一种PtTe₂-GaAs异质结光电晶体管制备方法，其特征在于，所述PtTe₂纳米片的厚度范围为10-60nm。

6.根据权利要求1所述一种PtTe₂-GaAs异质结光电晶体管制备方法，其特征在于，制备电极图案，在所述PtTe₂纳米片两侧的GaAs衬底和SiO₂薄膜表面形成源、漏电极具体包括：旋涂光刻胶，通过激光直写制备电极图案，再利用电子束蒸镀沉积金属，经过去胶，得到源、漏电极。

7.一种PtTe₂-GaAs异质结光电晶体管，其特征在于，包括：GaAs衬底、位于部分所述GaAs衬底表面的SiO₂薄膜以及PtTe₂纳米片；所述PtTe₂纳米片位于所述GaAs衬底和SiO₂薄膜的边界位置表面，所述PtTe₂纳米片底部一部分与所述SiO₂薄膜接触，另一部分和所述GaAs衬底接触；位于所述PtTe₂纳米片两侧的GaAs衬底和SiO₂薄膜表面的源、漏电极。