[发明专利]半导体装置、电池保护电路及电源管理电路在审
| 申请号： | 202280006532.9 | 申请日： | 2022-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN116250076A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 山本兴辉;高田晴久 | 申请（专利权）人： | 新唐科技日本株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置(1)，具备半导体层(40)和形成在半导体层(40)内的N(N是3以上的整数)个纵型MOS晶体管；N个纵型MOS晶体管分别在半导体层(40)的上表面具备与该纵型MOS晶体管的栅极电极电连接的栅极焊盘以及与该纵型MOS晶体管的源极电极电连接的1个以上的源极焊盘；半导体层(40)具有半导体衬底(32)；半导体衬底(32)作为N个纵型MOS晶体管的共通漏极区域发挥功能；半导体层(40)的平面图中的N个纵型MOS晶体管各自的面积与N个纵型MOS晶体管各自的最大规格电流对应，最大规格电流越大则越大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电池 保护 电路 电源 管理 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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