[发明专利]半导体装置、电池保护电路及电源管理电路

权利要求书

1.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于，

具备：

半导体层；以及

N个纵型MOS晶体管，形成在上述半导体层内，N是3以上的整数；

上述N个纵型MOS晶体管分别在上述半导体层的上表面具有与该纵型MOS晶体管的栅极电极电连接的栅极焊盘、以及与该纵型MOS晶体管的源极电极电连接的1个以上的源极焊盘；

上述半导体层具有半导体衬底；

上述半导体衬底作为上述N个纵型MOS晶体管的共通漏极区域发挥功能；

与上述N个纵型MOS晶体管各自的最大规格电流对应地，最大规格电流越大则上述半导体层的平面图中的上述N个纵型MOS晶体管各自的面积越大。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述半导体层的平面图中的上述N个纵型MOS晶体管各自的面积与上述N个纵型MOS晶体管各自的最大规格电流的平方成比例。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

上述N个纵型MOS晶体管各自的流过最大规格电流时的导通电阻与上述N个纵型MOS晶体管各自的最大规格电流的平方成反比例。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述N个纵型MOS晶体管中的1个，是最大规格电流等于上述N个纵型MOS晶体管中的K个纵型MOS晶体管的最大规格电流之和的特定纵型MOS晶体管，K是2以上且N－1以下的整数。

5.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述N个纵型MOS晶体管中的至少1个，是所具有的上述1个以上的源极焊盘为1个源极焊盘的特定纵型MOS晶体管；

在上述半导体层的平面图中，至少1个上述特定纵型MOS晶体管分别具有的上述栅极焊盘及上述1个源极焊盘是正圆形，在上述N个纵型MOS晶体管分别具有的上述栅极焊盘及上述1个以上的源极焊盘之中，不存在与至少1个上述特定纵型MOS晶体管分别具有的上述栅极焊盘及上述1个源极焊盘相比面积刻意减小的栅极焊盘及源极焊盘。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述半导体装置在上述半导体层的平面图中是矩形；

在上述N个纵型MOS晶体管中，由规格决定的1个以上的电流路径各自中的位于该电流路径的入口或出口处的第1出入口纵型MOS晶体管和位于出口或入口处的第2出入口纵型MOS晶体管在上述半导体层的平面图中彼此相邻。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

上述半导体装置在上述半导体层的平面图中是长方形；

在上述半导体层的平面图中，上述1个以上的电流路径各自中的上述第1出入口纵型MOS晶体管与上述第2出入口纵型MOS晶体管的边界线平行于上述半导体装置的长边。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

在上述半导体层的平面图中，上述1个以上的电流路径各自中的上述第1出入口纵型MOS晶体管与上述第2出入口纵型MOS晶体管的边界线相对于上述半导体装置的4个边的哪个都不平行。

9.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

在上述半导体层的平面图中，上述1个以上的电流路径各自中的上述第1出入口纵型MOS晶体管与上述第2出入口纵型MOS晶体管的边界线通过将平行于上述半导体装置的4个边中的第1边的线段以及平行于与上述第1边正交的第2边的线段交替地连接而形成。