[发明专利]用于去除含氮化物膜的系统和方法在审
| 申请号： | 202280004073.0 | 申请日： | 2022-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN115803846A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 王柏玮;O·贾恩;R·P·雷迪;X·陈;崔振江;王安川 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 付尉琳;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 示例性蚀刻方法可包括使含氧前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域，同时激发等离子体以产生氧等离子体流出物。方法可包括使容纳在处理区域中的基板与氧等离子体流出物接触。基板可限定氮化钛的暴露区域。接触可在氮化钛上产生氧化表面。方法可包括将含卤素前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域，同时激发等离子体以产生卤素等离子体流出物。方法可包括使氮化钛上的氧化表面与卤素等离子体流出物接触。方法可包括去除氮化钛上的氧化表面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 去除 氮化物 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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