[发明专利]用于去除含氮化物膜的系统和方法

权利要求书

1.一种蚀刻方法，包括：

使含氧前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域，同时激发等离子体以产生氧等离子体流出物；

使容纳在处理区域中的基板与所述氧等离子体流出物接触，其中所述基板限定氮化钛或氮化钽的暴露区域，并且其中所述接触在所述氮化钛或氮化钽上产生氧化表面；

使含卤素前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域，同时激发等离子体以产生卤素等离子体流出物；

使所述氮化钛或氮化钽上的所述氧化表面与所述卤素等离子体流出物接触；以及

去除所述氮化钛或氮化钽上的所述氧化表面。

2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中所述含卤素前驱物包括氟或氯。

3.如权利要求2所述的蚀刻方法，其中所述含氧前驱物是氧，其中所述含卤素前驱物包括三氟化氮，并且其中所述方法进一步包括：

使氢与所述含卤素前驱物一起流动。

4.如权利要求3所述的蚀刻方法，其中所述氢的流速是所述含卤素前驱物的流速的至少两倍。

5.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中使所述基板与所述氧等离子体流出物接触在第一温度执行，并且其中使所述基板与所述卤素等离子体流出物接触在低于所述第一温度的第二温度执行。

6.如权利要求5所述的蚀刻方法，其中在第一处理腔室中执行使所述基板与所述氧等离子体流出物接触，并且其中在与所述第一处理腔室分隔的第二处理腔室中执行使所述基板与所述卤素等离子体流出物接触。

7.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中当使所述基板与所述氧等离子体流出物接触时，所述半导体处理腔室内的压力保持低于或约为5托。

8.如权利要求7所述的蚀刻方法，进一步包括：

在使所述氮化钛上的所述氧化表面与所述卤素等离子体流出物接触之前，增大所述半导体处理腔室中的所述压力。

9.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中所述蚀刻方法执行多次循环。

10.如权利要求9所述的蚀刻方法，其中每次循环去除的所述氮化钛或氮化钽上的所述氧化表面小于或约1纳米。

11.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中在单个处理腔室中执行所述蚀刻方法，并且其中在保持基板温度低于或约300℃的同时执行所述蚀刻方法。

12.一种蚀刻方法，包括：

使容纳在半导体处理腔室的处理区域中的基板与含氧前驱物接触，其中所述基板限定氮化钛的暴露区域，并且其中所述接触在所述氮化钛上产生限于小于或约1纳米的深度的氧化表面；

停止所述含氧前驱物的流动；

使所述氮化钛上的所述氧化表面与含卤素前驱物接触；以及

去除所述氮化钛上的所述氧化表面。

13.如权利要求12所述的蚀刻方法，进一步包括：

在接触所述基板之前，形成所述含氧前驱物或所述含卤素前驱物中的一者或两者的等离子体。

14.如权利要求12所述的蚀刻方法，其中所述含卤素前驱物包括氟或氯。

15.如权利要求14所述的蚀刻方法，其中所述含卤素前驱物包括三氟化氮，所述方法进一步包括：

使氢与所述含卤素前驱物一起流动。

16.如权利要求15所述的蚀刻方法，其中所述氢的流速是所述含卤素前驱物的流速的至少两倍。

17.如权利要求12所述的蚀刻方法，其中使所述基板与所述含氧前驱物接触在第一温度执行，并且其中使所述基板与所述含卤素前驱物接触在低于所述第一温度的第二温度执行。