[实用新型]一种超结VDMOS器件及电子设备有效
| 申请号： | 202222706837.0 | 申请日： | 2022-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN218385234U | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 张玉琦;戴银;任文珍 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京磐华捷成知识产权代理有限公司 11851 | 代理人： | 翟海青 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种超结VDMOS器件及电子设备，超结VDMOS器件包括有源区、主结区和终端区，其中，有源区包括远离主结区的第一区域和靠近主结区的第二区域：有源区包括多个栅极结构；第一区域包括第一组第一导电类型柱，第一组第一导电类型柱分别设置于有源区相邻的栅极结构之间，第一组第一导电类型柱的柱宽相等；第二区域包括第二组第一导电类型柱，第二组第一导电类型柱分别设置于有源区相邻的栅极结构之间，第二组第一导电类型柱的柱宽沿第一方向逐渐减小，第一方向为有源区至主结区的方向。降低了工艺波动带来的尺寸偏差对第二区域耐压的影响，以保证第二区域耐压高于有源区耐压，避免发生第二区域击穿，提高器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 器件 电子设备 | ||
【主权项】：
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