[实用新型]一种超结VDMOS器件及电子设备

权利要求书

1.一种超结VDMOS器件，其特征在于，包括有源区、主结区和终端区，其中，有源区包括远离主结区的第一区域和靠近主结区的第二区域：

有源区包括多个栅极结构；

第一区域包括第一组第一导电类型柱，第一组第一导电类型柱分别设置于有源区相邻的栅极结构之间；

第二区域包括第二组第一导电类型柱，第二组第一导电类型柱分别设置于有源区相邻的栅极结构之间，第二组第一导电类型柱的柱宽沿第一方向逐渐减小，第一方向为有源区至主结区的方向。

2.如权利要求1的超结VDMOS器件，其特征在于，主结区包括第三组第一导电类型柱。

3.如权利要求1的超结VDMOS器件，其特征在于，第一组第一导电类型柱的柱宽相等，第三组第一导电类型柱的柱宽相等，第三组第一导电类型柱的柱宽小于第一组第一导电类型柱的柱宽。

4.如权利要求3的超结VDMOS器件，其特征在于，在第二组第一导电类型柱中，最靠近第一区域的第一导电类型柱具有最大柱宽，最靠近主结区的第一导电类型柱具有最小柱宽，其中，最大柱宽小于第一组第一导电类型柱的柱宽，最小柱宽大于第三组第一导电类型柱的柱宽。

5.如权利要求4的超结VDMOS器件，其特征在于，第三组第一导电类型柱的柱宽与第一组第一导电类型柱的柱宽的比值范围包括0.4～0.6。

6.如权利要求1的超结VDMOS器件，其特征在于，第二组第一导电类型柱的柱宽按等差数列沿第一方向逐渐减小。

7.如权利要求1的超结VDMOS器件，其特征在于，第二组第一导电类型柱的柱宽按等比数列沿第一方向逐渐减小。

8.如权利要求1的超结VDMOS器件，其特征在于，第二组第一导电类型柱包括3至6个第一导电类型柱。

9.如权利要求3的超结VDMOS器件，其特征在于，所述多个栅极结构等间距设置，第一组第一导电类型柱的中心线间距等于第二组第一导电类型柱的中心线间距，第一组第一导电类型柱的中心线间距大于或等于第三组第一导电类型柱的中心线间距。

10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至9中任一项的超结VDMOS器件。