[实用新型]坩埚组件和具有其晶体生长设备有效

专利信息
申请号: 202222509130.0 申请日: 2022-09-21
公开(公告)号: CN218026452U 公开(公告)日: 2022-12-13
发明(设计)人: 李向阳;陈俊宏 申请(专利权)人: 徐州鑫晶半导体科技有限公司
主分类号: C30B15/12 分类号: C30B15/12;C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 顾鲜红
地址: 221004 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种坩埚组件和具有其的晶体生长设备,坩埚组件包括石英坩埚和氮化硅坩埚,氮化硅坩埚至少设于石英坩埚的内底壁,且氮化硅坩埚和石英坩埚通过定位结构定位配合,定位结构包括定位孔和配合于定位孔的定位凸起。根据本实用新型的坩埚组件,可以降低晶体中的含氧量,便于晶体含氧量的有效控制,同时可以根据晶体含氧量的差异化需求相应适应性调整;同时氮化硅坩埚与液态硅为惰性反应,便于将剩余硅料与坩埚组件分离,降低剩余硅料循环利用的难度,且降低了剩余硅料的污染程度和损耗程度,节约生产成本;而且通过氮化硅坩埚和石英坩埚之间的定位结构,便于保证氮化硅坩埚和石英坩埚配合可靠,且结构简单、加工方便。
搜索关键词: 坩埚 组件 具有 晶体生长 设备
【主权项】:
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